CSD75208W1015T

Parâmetro do produto

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Série

NexFET™

Tipo FET

2 P-Channel (Dual) Common Source

Embalagem

Cut Tape (CT)

Recurso FET

Logic Level Gate

Status da peça

Active

Poder - Max

750mW

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

6-UFBGA, DSBGA

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 1A, 4.5V

Pacote de dispositivo de fornecedor

6-DSBGA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

1.6A