TPS1100PW

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

P-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

+2V, -15V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Dissipação de energia (Max)

504mW (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-TSSOP

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.45nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

15V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

1.27A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V