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TC58BYG2S0HBAI6
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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TC58BYG2S0HBAI6

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA


Fabricante: Toshiba Memory America, Inc.

Datasheet: TC58BYG2S0HBAI6

Preço:

USD $4.58

Estoque: 2 pcs

Parâmetro do produto

Série
Benand™
Embalagem
Tray
Tecnologia
FLASH - NAND (SLC)
Tempo de acesso
25ns
Tamanho da memória
4Gb (512M x 8)
Tipo de memória
Non-Volatile
Status da peça
Active
Formato de memória
FLASH
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
67-VFBGA
Interface de memória
Parallel
Tensão - Fornecimento
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação
-40°C ~ 85°C (TA)
Pacote de dispositivo de fornecedor
67-VFBGA (6.5x8)
Hora do ciclo de gravação - Palavra, página
25ns

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