2SJ168TE85LF

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

P-Channel

Embalagem

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 10V

Dissipação de energia (Max)

200mW (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

SC-59

Drenar para tensão de origem (Vdss)

60V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

85pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

200mA (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V