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2SK4016(Q)
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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2SK4016(Q)

MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS


Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Datasheet: 2SK4016(Q)

Preço:

USD $0.37

Estoque: 22 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo FET
N-Channel
Embalagem
Bulk
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
-
Status da peça
Obsolete
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Caso
TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)
50W (Tc)
Pacote de dispositivo de fornecedor
TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
600V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V

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