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MT3S111TU,LF

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Datasheet: MT3S111TU,LF

Preço:

USD $0.61

Estoque: 74 pcs

Parâmetro do produto

Ganhar

12.5dB

Série

-

Embalagem

Digi-Reel®

Status da peça

Active

Poder - Max

800mW

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

3-SMD, Flat Leads

Tipo transistor

NPN

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Frequência - Transição

10GHz

Pacote de dispositivo de fornecedor

UFM

Figura de ruído (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz

Corrente - Coletor (Ic) (Max)

100mA

GANHO ATUAL DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Tensão - Divisão do Emissor de Coletores (Max)

6V

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