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S1J-E3/51T
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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S1J-E3/51T

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC


Fabricante: Vishay / Semiconductor - Diodes Division

Datasheet: S1J-E3/51T

Preço:

USD $0

Estoque: 66 pcs

Parâmetro do produto

Velocidade
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série
-
Embalagem
Bulk
Tipo de diodo
Standard
Status da peça
Obsolete
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
DO-214AC, SMA
Número da peça base
S1J
Capacitância @ Vr, F
12pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivo de fornecedor
DO-214AC (SMA)
Tempo de recuperação reversa (trr)
1.8µs
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr
1µA @ 600V
Tensão - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Corrente - Média Retificada (Io)
1A
Temperatura de operação - Junção
-55°C ~ 150°C
Tensão - Para a frente (Vf) (Max) @ Se
1.1V @ 1A

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