SI1913EDH-T1-E3

Parâmetro do produto

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Série

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Embalagem

Cut Tape (CT)

Recurso FET

Logic Level Gate

Status da peça

Obsolete

Poder - Max

570mW

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Número da peça base

SI1913

Vgs(th) (Max) @ Id

450mV @ 100µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

490mOhm @ 880mA, 4.5V

Pacote de dispositivo de fornecedor

SC-70-6 (SOT-363)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

880mA