SI3529DV-T1-E3

Parâmetro do produto

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Série

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Recurso FET

Logic Level Gate

Status da peça

Obsolete

Poder - Max

1.4W

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Pacote de dispositivo de fornecedor

6-TSOP

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

40V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

205pF @ 20V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

2.5A, 1.95A