SI3900DV-T1-E3

Parâmetro do produto

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Série

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Embalagem

Digi-Reel®

Recurso FET

Logic Level Gate

Status da peça

Active

Poder - Max

830mW

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Número da peça base

SI3900

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

Pacote de dispositivo de fornecedor

6-TSOP

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

2A