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SI4214DY-T1-GE3
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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SI4214DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC


Fabricante: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI4214DY-T1-GE3

Preço:

USD $0.08

Estoque: 17 pcs

Parâmetro do produto

Série
TrenchFET®
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Embalagem
Digi-Reel®
Recurso FET
Standard
Status da peça
Obsolete
Poder - Max
3.1W
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23.5mOhm @ 7A, 10V
Pacote de dispositivo de fornecedor
8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
785pF @ 15V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
8.5A

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