SI4500BDY-T1-E3 — As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto

SI4500BDY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

Fabricante: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI4500BDY-T1-E3

Preço:

USD $0.58

Estoque: 19 pcs

Parâmetro do produto

Série

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Embalagem

Digi-Reel®

Recurso FET

Logic Level Gate

Status da peça

Obsolete

Poder - Max

1.3W

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número da peça base

SI4500

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9.1A, 4.5V

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-SO

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

6.6A, 3.8A

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