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SI6562DQ-T1-E3
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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SI6562DQ-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP


Fabricante: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI6562DQ-T1-E3

Preço:

USD $0.51

Estoque: 76 pcs

Parâmetro do produto

Série
TrenchFET®
Tipo FET
N and P-Channel
Embalagem
Digi-Reel®
Recurso FET
Logic Level Gate
Status da peça
Obsolete
Poder - Max
1W
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número da peça base
SI6562
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Pacote de dispositivo de fornecedor
8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
-

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