SI7530DP-T1-E3

Parâmetro do produto

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Série

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Embalagem

Digi-Reel®

Recurso FET

Logic Level Gate

Status da peça

Obsolete

Poder - Max

1.4W, 1.5W

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

PowerPAK® SO-8 Dual

Número da peça base

SI7530

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Pacote de dispositivo de fornecedor

PowerPAK® SO-8 Dual

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

60V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

3A, 3.2A