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SI7804DN-T1-GE3
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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SI7804DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8


Fabricante: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI7804DN-T1-GE3

Preço:

USD $0.5

Estoque: 97 pcs

Parâmetro do produto

Série
TrenchFET®
Tipo FET
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
-
Status da peça
Active
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)
1.5W (Ta)
Pacote de dispositivo de fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

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