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SI7925DN-T1-GE3
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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SI7925DN-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8


Fabricante: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI7925DN-T1-GE3

Preço:

USD $0.63

Estoque: 72 pcs

Parâmetro do produto

Série
TrenchFET®
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Recurso FET
Logic Level Gate
Status da peça
Obsolete
Poder - Max
1.3W
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 6.5A, 4.5V
Pacote de dispositivo de fornecedor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4.8A

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