SISF20DN-T1-GE3

Parâmetro do produto

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Série

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Embalagem

Cut Tape (CT)

Recurso FET

Standard

Status da peça

Active

Poder - Max

5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

PowerPAK® 1212-8SCD

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 7A, 10V

Pacote de dispositivo de fornecedor

PowerPAK® 1212-8SCD

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

60V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 30V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

14A (Ta), 52A (Tc)