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SQJ912BEP-T1_GE3
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L


Fabricante: Vishay / Siliconix

Datasheet: SQJ912BEP-T1_GE3

Preço:

USD $0.55

Estoque: 3000 pcs

Parâmetro do produto

Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Embalagem
Digi-Reel®
Recurso FET
Standard
Status da peça
Active
Poder - Max
48W (Tc)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 9A, 10V
Pacote de dispositivo de fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
40V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
30A (Tc)

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