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SQS966ENW-T1_GE3
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHAN 60V


Fabricante: Vishay / Siliconix

Datasheet: SQS966ENW-T1_GE3

Preço:

USD $0.34

Estoque: 64 pcs

Parâmetro do produto

Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Recurso FET
Standard
Status da peça
Active
Poder - Max
27.8W (Tc)
Tipo de montagem
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote / Caso
PowerPAK® 1212-8W Dual
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 1.25A, 10V
Pacote de dispositivo de fornecedor
PowerPAK® 1212-8W Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 10V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
60V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
572pF @ 25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6A (Tc)

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