IRF100B202

Parâmetro do produto

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Série

HEXFET®, StrongIRFET™

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-220-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 58A, 10V

Dissipação de energia (Max)

221W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-220AB

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

116nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

100V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4476pF @ 50V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

97A (Tc)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V