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IRF100P218XKMA1
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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IRF100P218XKMA1

TRENCH_MOSFETS


Fabricante: Infineon Technologies

Datasheet: IRF100P218XKMA1

Preço:

USD $7.45

Estoque: 443 pcs

Parâmetro do produto

Série
StrongIRFET™
Tipo FET
N-Channel
Embalagem
Tube
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
-
Status da peça
Active
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Caso
TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.28mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)
556W (Tc)
Pacote de dispositivo de fornecedor
TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
555nC @ 10V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
100V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
25000pF @ 50V
Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V

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