IRLML6402TRPBF

Parâmetro do produto

---

Série

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Embalagem

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±12V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.7A, 4.5V

Dissipação de energia (Max)

1.3W (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

Micro3™/SOT-23

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

633pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

3.7A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V