HAT1047RWS-E

Parâmetro do produto

---

Série

-

Tipo FET

P-Channel

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Temperatura de operação

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V

Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-SOP

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

14A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V