HAT1069C-EL-E

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

P-Channel

Vgs (Max)

±8V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

6-SMD, Flat Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Temperatura de operação

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 1.5A, 4.5V

Dissipação de energia (Max)

900mW (Ta)

Pacote de dispositivo de fornecedor

6-CMFPAK

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 10V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V