RJK5018DPK-00#T0

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±30V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 17.5A, 10V

Dissipação de energia (Max)

200W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-3P

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

104nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

500V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

35A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V