Menu Navigation

SI4562DY-T1-E3
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
thumb-0

SI4562DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC


Fabricante: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI4562DY-T1-E3

Preço:

USD $0.55

Estoque: 29 pcs

Parâmetro do produto

Série
TrenchFET®
Tipo FET
N and P-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Recurso FET
Logic Level Gate
Status da peça
Obsolete
Poder - Max
2W
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da peça base
SI4562
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Pacote de dispositivo de fornecedor
8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
-

Você também pode estar interessado em