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RJK2006DPE-00#J3
As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para obter detalhes do produto
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RJK2006DPE-00#J3

MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK


Fabricante: Renesas Electronics America

Datasheet: RJK2006DPE-00#J3

Preço:

USD $0.22

Estoque: 53 pcs

Parâmetro do produto

Série
-
Tipo FET
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Recurso FET
-
Status da peça
Active
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
SC-83
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)
100W (Tc)
Pacote de dispositivo de fornecedor
4-LDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Drenar para tensão de origem (Vdss)
200V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)
10V

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