RJK2009DPM-00#T0

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Embalagem

Tube

Vgs (Max)

±30V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Active

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote / Caso

TO-3PFM, SC-93-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de operação

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 20A, 10V

Dissipação de energia (Max)

60W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

TO-3PFM

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

200V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

40A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V