RJK2055DPA-WS#J0

Parâmetro do produto

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Série

-

Tipo FET

N-Channel

Vgs (Max)

±30V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Recurso FET

-

Status da peça

Obsolete

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote / Caso

8-PowerWDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Temperatura de operação

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

69mOhm @ 10A, 10V

Dissipação de energia (Max)

30W (Tc)

Pacote de dispositivo de fornecedor

8-WPAK

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Drenar para tensão de origem (Vdss)

200V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

20A (Ta)

Tensão de unidade (Max Rds On, Min Rds On)

10V